1、转速采用手动调整变频器频率的控制方式。
2、可同时对4片最大尺寸为Φ2" 的基片进行双面研磨抛光。
3、可进行薄片的双面减薄。
4、是双面研磨抛光Si、 Ge 、氧化物单晶基片的理想工具。
1、电源：220V 50Hz
2、功率：550W
3、磨抛盘：Φ225mm
4、磨抛盘转速：0-72rpm内无级可调
5、最大样件尺寸：Φ50mm，厚度≤15mm
6、上磨抛盘重量：3.5kg
尺寸：650mm×500mm×580mm；
重量：80kg